三星展示DDR3实物 2009年初取代DDR2
[url=http://www.fjt2.net/gate/gb/www.hkepc.com/bbs/viewthread.php?tid=583562&extra=page-ifbase4-base8-JTNEMQ~~]HKEPC[/url]报道：在日前的台北春季IDF上，三星公司展示了其DDR3内存产品实物，并预计Intel将在2007年下半年开始采用DDR3，2009年初有望取代DDR2。据三星内存业务首席工程师Dong Yang Lee称，三星已经准备好在今年下半年开始量产DDR3内存产品，初期频率DDR3-800，随后会升级至DDR3-1066/1333，最高DDR3-1666。
目前DDR2内存普遍采用90nm工艺生产，DDR3则将导入70nm工艺，因此生产成本和功耗均将有所降低。Dong Yang Lee表示，SO-DIMM规格1Gb DDR3-1066的功耗将是512Mb DDR2-800的66％，1Gb DDR3-1333为79％，而UDIMM规格分别为60％和71％。
技术规格上，DDR3主要是由DDR2改良而来，主要改进包括预取由4位增至8位、核心电压由1.8V降至1.5V、配备全新温度侦测功能、高速接口技术全面升级等等。
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三星512MB DDR3 ECC UDIMM内存实物
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DDR3功耗改善预计
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DDR3关键技术改进
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Intel平台内存规划路线图 :[47]哪来米米捏 :[50]:[50]:[50]
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